1.维安半导体“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布
2.鲁汶仪器“一种原子层刻蚀面容”专利公布
3.进芯电子“一种上电后存储并行自检系统及面容”专利获授权
4.敏芯股份“传感器结构过头制备面容、电子树立”专利获授权
1.维安半导体“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布
天眼查线路，上海维安半导体有限公司“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布，苦求公布日为2024年5月14日，苦求公布号为CN118039639A。
本发明提供一种基于错位触发的可控硅保护器件，包括至少一插指单位，每一插指单位包括：衬底以及造成于衬底的第一面的外延层；第一N型阱区和P型阱区，别离造成于外延层中；第一N+区和第一P+区，别离造成于第一N型阱区中，第一P+区与第一N+区电性承接并四肢可控硅保护器件的阳极；第三N+区，造成于P型阱区中，第三N+区的电性输出端四肢可控硅保护器件的阴极；第二N+区和第二P+区，造成于外延层中，第二P+区位于第一N型阱区隔离P型阱区的一侧，第二P+区与第二N+区相战斗。成心后果：通过将导通旅途与触发旅途分离，种植器件鲁棒性。
2.鲁汶仪器“一种原子层刻蚀面容”专利公布
天眼查线路，江苏鲁汶仪器股份有限公司“一种原子层刻蚀面容”专利公布，苦求公布日为2024年5月14日，苦求公布号为CN118039471A。
本发明触及半导体器件限制，具体是一种原子层刻蚀面容。本发明提供了一种原子层刻蚀面容，包括：S1）将氯基气体进行等离子搞定，使晶片的上层原子造成氯化层；S2）将含氮气体进行等离子搞定，对神色S1）所述晶片的氯化层进行刻蚀。本发明提供的面容莽撞裁汰晶片在原子层刻蚀时的晶格挫伤和电学挫伤。实验标明，采纳现存的面容刻蚀氮化镓后，晶片名义的N元素含量为51.4％；而采纳本发明所述面容刻蚀氮化镓后，晶片名义的N元素含量为47.8％；不错看出，流程氯基气体改性，含氮气体刻蚀后的样品名义产生的N空位更少，不错有用裁汰N空位带来的晶格挫伤与电学挫伤。
3.进芯电子“一种上电后存储并行自检系统及面容”专利获授权
天眼查线路，湖南进芯电子科技有限公司近日取得一项名为“一种上电后存储并行自检系统及面容”的专利，股票买卖授权公告号为 CN117667547B，授权公告日为2024年5月14日，苦求日为2023年12月13日。
本发明公开了一种上电后存储并行自检系统及面容，触及了存储器自检手艺限制，包括云平台，所述云平台通讯承接有自检判断模块、自检施行模块、中央搞定器模块以及维保匹配模块；通过自检判断模块判断是否开启存储自检；通过自检施行模块进行存储器的存储自检，并树立定时计数器进行计数，当一说念的存储器完成存储自检后树立自检标记；通过中央搞定器模块赢得自检标记，并判断其是否合适树立的时候窗口，若合适，则清空定时计数器的数值并跳转至主顺次，若不合适，则生成溢出标记并触发不行屏蔽中断；通过维保匹配模块把柄不行屏蔽中断生成故障参数表，树立匹配故障库导入故障参数表生成维保数据信息，进而安排维保东说念主员进行维保搞定。
4.敏芯股份“传感器结构过头制备面容、电子树立”专利获授权
天眼查线路，苏州敏芯微电子手艺股份有限公司近日取得一项名为“传感器结构过头制备面容、电子树立”的专利，授权公告号为CN113666329B，授权公告日为2024年5月14日，苦求日为2021年8月31日。
本苦求提供了一种传感器结构过头制备面容、电子树立，该传感器结构包括：硅基底；树立在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底隔离膜层结构的一侧树立有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分隔离膜层结构的名义与第二部分隔离膜层结构的名义不在吞并水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以造成连通空腔与传感器结构除外的环境的通说念。本苦求实施例提供的传感器结构莽撞简化工艺、种植坐蓐服从。